4.1.4　高温共烧陶瓷基板

高温共烧陶瓷基板（HTCC Substrate）与低温共烧陶瓷基板的主要区别是，前者共烧温度高，通常在1500℃以上的温度下烧结。高温共烧陶瓷基板抗弯强度高、导热系数大，如高强度氧化锆和氧化铝高温共烧陶瓷基板、高导热AlN高温共烧陶瓷基板、SiC高温共烧陶瓷基板。

高温共烧陶瓷基板的导体通常用难熔的W、Mo等金属制作，电阻率比低温共烧陶瓷基板的导体金属（如Au、Ag-Pd等）电阻率高，如表4-2所示。

表4-2　不同金属的电阻率（室温20℃）

高温共烧陶瓷基板通常不集成电容、电感、电阻。这是因为烧结后，电容、电感、电阻的实际测试值与设计值之间的偏差更大（相比于薄膜工艺下的该参数）。高温共烧陶瓷基板的表面通常进行化学镀镍及致密化烧结，必要时还会通过电镀镍、电镀金等方式满足对电性能参数的要求。