No.012 陶瓷片式电容器的断裂和短路
1.现象表现及描述
1)陶瓷片式电容器的结构
在阻容元器件中,陶瓷片式电容器发生缺陷的概率是最高的。陶瓷片式电容器由多层陶瓷和金属组成,并焙烧到它们的最终状态,如图1.44所示。
2)陶瓷片式电容器内部的常见缺陷
陶瓷片式电容器内部各层之间的分层且有多孔性和裂纹。可用C型扫描声学显微镜(C-SAM)和扫描激光声学显微镜(SLAM)这两种声学微成像方式来筛选大量未安装的陶瓷片式电容器的内部缺陷,如图1.45所示。
图1.44 陶瓷片式电容器的结构
图1.45 陶瓷片式电容器的典型结构缺陷
如图1.46所示为无缺陷和有缺陷的100MHz定格的SLAM图像。
图1.46 无缺陷和内部有大分层缺陷的陶瓷片式电容器的SLAM图像
在无缺陷的元器件中,电容器的整个工作层明显发亮;相反,由分层或裂纹形成的薄空气层(小于0.1μm)将阻碍超声波的传播,并在透射扫描图像中显得比较暗。空洞将显露为暗点,多孔性由于超声波散射将引起信号损失(衰减)。正因为如此,透射传输成像对快速评估陶瓷片式电容器、集成电路等的内部缺陷非常有用。
如图1.47所示为SLAM、C-SAM应用于典型陶瓷片式电容器的比较。
图1.47(a)为SLAM透射的传输(与C-SAM透射传输相同),揭示了样品左上角的一个小圆形缺陷。这一缺陷相对于明亮(但没有纹理)的灰度背景较暗。
图1.47(b)为C-SAM体扫描模式,揭示了相对于暗背景来说显得明亮的同一缺陷,明显增强了反差。
图1.48(c)和(d)是在由声学显微镜数据指出的位置上用破坏性物理分析(DPA-破坏性物理分析)得到的截面图像。其中图1.47(c)是对缺陷进行声学微成像定位之后得到的截面,而图1.47(d)为更高放大倍数的截面。
3)渗透
渗透是表面的有害污斑,如图1.48所示。
图1.47 S LAM、C-SAM应用于典型陶瓷片式电容器的比较
图1.48 陶瓷片式电容器上发现的典型渗透
尽管用户从各个不同制造商买进陶瓷片式电容器都通过了严格的电试验,但一些元器件在表面安装过程中仍然会出现问题;而另一些元器件被用户使用之后也会意外失效。
2.形成原因及机理
1)陶瓷片式电容器的裂纹、空洞、分层及多孔性等成因
陶瓷片式电容器各层之间及陶瓷片的多孔性和裂纹是引起电气故障的根源。
陶瓷片式电容器中的介质材料是一点也不能弯曲的。这种不可弯曲性加上为取得所需电容而要求的最小电容器极板间距,使结构稍显脆弱。陶瓷片式电容器受机械应力作用可能会引起机械断裂。机械应力的来源包括:陶瓷片式电容器与PCB材料之间的热膨胀系数不同、PCB的机械弯曲、装配产生的应力和机械冲击或振动。
陶瓷片式电容器中机械断裂的影响要经过一段时间方可显现出来。例如,如果由弯曲的PCB引起的应力使陶瓷片式电容器断裂,那么当弯曲力取消时,陶瓷片式电容器就会回到正常位置。回到正常位置后不会引起显著损坏或性能变坏,因为分裂的电容器极板实际上又重新接触上了。然而,平行隔行交错插入的极板只要稍微有点错位,就会引起短路。
2)陶瓷片式电容器的渗透机理
这是一种人为现象,是从环氧树脂与样品表面之间的间隔或从样品内的分层中渗漏出的截留的润滑剂或刻蚀剂的结果。
3.解决措施
(1)加强对陶瓷片式电容器的筛选。对每一批进货的陶瓷片式电容器可抽取200件样品,进行C-SAM和SLAM筛选,如果发现内部缺陷达到了不可接受的程度,便将信息反馈给该电容器制造商进行改进。
(2)组装和使用中应尽量避免弯曲应力作用。陶瓷片式电容器在PCB上组装的过程中,以及装有陶瓷片式电容器的PCBA产品在用户服役期间,均应尽量减小PCB的变形和弯曲。
(3)渗透的去除。烘干前,用低沸点流体,如异丙醇浸透样品表面,或用柔性洗涤剂和水溶液洗涤样品。在异丙醇槽中浸泡约1min,然后放入真空烘箱中在100℃的条件下烘5min。